DRONE VE DRONE MALZEMELERİHGTG40N60A4 IGBT Transistör, güç elektroniği uygulamalarında yüksek performans ve güvenilirlik sunan bir bileşendir. TO-247 kılıfında üretilen bu IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), özellikle endüstriyel ve ticari güç yönetimi sistemlerinde verimli çözümler sağlamak için tasarlanmıştır. Yüksek gerilim ve akım kapasitesi sayesinde geniş bir uygulama yelpazesine sahiptir.
| Özellik | Değer |
| Kılıf Türü | TO-247 |
| Maksimum Sürekli Akım (Ic) | 40A |
| Maksimum Tepe Akım (Ic) | 80A |
| Maksimum Gerilim (Vce) | 600V |
| Maksimum Güç Dağılımı (Ptot) | 208W |
| Doyma Gerilimi (Vce(sat)) | 2.0V @ 40A |
| Tetikleme Gerilimi (Vge) | ±20V |
| Termal Direnç (Rthjc) | 0.6°C/W |
| Çalışma Sıcaklık Aralığı | -55°C ile +150°C |
