DRONE VE DRONE MALZEMELERİMGW12N120, 1200V gerilim ve 20A akım kapasitesine sahip bir IGBT Mosfet'tir. TO247 paketiyle sunulan bu transistör, güç elektroniği uygulamalarında yüksek performans ve güvenilirlik sunar. KIA50N06 referansıyla da anılan bu cihaz, hızlı anahtarlama hızları ve gelişmiş düzlemsel şerit teknolojisi sayesinde etkili bir çözüm sunar.
| Özellik | Değer |
| Vdss | 1200V |
| Id | 20A |
| Güç Pd | 123W |
| Rds(on) | 0.022Ω |
| Paket Tipi | TO-220 / TO247 |
| Seri | MGW12N120 |
| Akım İletim Kapasitesi | 50A (KIA50N06 referansı) |
| Ağırlık | 0.02 Kg |
MGW12N120 IGBT Mosfet, adaptör güç ünitelerinde, amplifikatörlerde, invertörlerde ve SMPS (Anahtarlamalı Güç Kaynakları) uygulamalarında idealdir. Çevrimdışı anahtar modu güç kaynakları için özellikle uygundur.
Bu N-kanal geliştirme modu alan etkili güç transistörü, yüksek sağlam çığ özelliklerine ve minimum açık çubuklara sahip olacak şekilde tasarlanmıştır. DMOS teknolojisi kullanılarak üretilmiş olup, zorlu uygulamalarda dahi güvenilir performans sunar. Hızlı anahtarlama hızı sayesinde enerji verimliliğini artırır.
