FGA25N120 - 1200V 25A IGBT Mosfet - TO220F
FGA25N120, NPT hendek teknolojisiyle üretilmiş, yüksek dayanıklılığa ve yüksek akım kapasitesine sahip bir IGBT mosfettir. Bu komponent, 1200V'a kadar dayanabilen ve 50V'a kadar akım oranı sunan özellikleriyle dikkat çeker. Ayrıca, sürücü devrelerinde düşük bileşen sayısı ile kullanım imkanı sağlayan, sadece 2V kapı doygunluğu voltajına sahip olmasıyla öne çıkar.
Teknik Özellikler
| Model | FGA25N120 |
| Maksimum Gerilim (Vdss) | 1200V |
| Maksimum Akım (Id) | 25A |
| Kapı Doygunluk Voltajı | 2V |
| Güç Tüketimi (Pd) @ TC = 25°C | 312W |
| Güç Tüketimi (Pd) @ TC = 100°C | 125W |
| Paket Tipi | TO220F |
Öne Çıkan Özellikler
- NPT hendek teknolojisi ile yüksek performans
- 1200V maksimum gerilim dayanımı
- 25A sürekli akım kapasitesi
- Düşük kapı doygunluk voltajı (2V) sayesinde sürücü devrelerinde kolay kullanım
- Yüksek güç tüketimi kapasitesi: 312W @ 25°C ve 125W @ 100°C
- Dayanıklı ve güvenilir TO220F paket yapısı